全本小说 - 侦探推理 - 千禧年半导体生存指南在线阅读 - 第五章 承上启下的发现

第五章 承上启下的发现

        周新对于自己会在第二天上午就受到胡正明的回信有点意外。

        要知道二十年之后,胡正明查看邮件的频率是每周一次。

        “难道说年轻时候的老师,每天都会看一次邮件?”

        “看不出来当年的老师这么刻苦。”

        虽然周新之前跟的是胡正明,但是胡正明在那个年龄大多时候都只是给一些方向性的建议。

        当然即便如此,胡正明在2016年也就是六十九岁的时候,还在science上发表了引用次数超过一千次的论文。

        “胡教授,你好,我是燕大微电子专业的大二学生周新,周虽旧邦其命维新的周新。”

        跨国电话很贵,周新来了之后也没有再去开源。

        仅仅靠奖学金,还是颇有些捉襟见肘。

        “周新,好名字。

        我本来还以为是芯片的芯。

        我看了你发给我的邮件,我还以为是哪个教授在mosfet模型上有了新的思路。

        你的成果足以发表在ieee甚至是science上了。”

        二人是用英文对话,即便是周虽旧邦其命维新,周新也是用英语说的。

        毕竟他之前去伯克利读博士的时候,专门把这句话翻译成了英文,在给外国人做自我介绍的时候说。

        周是几千年前华国的王朝,再补充上这么一句,瞬间让没有什么历史的阿美利肯人另眼相看。

        这也算是周新在国外快速和外国人熟悉起来的一点小技巧。

        聊历史政治这些,是能够快速和另外一个陌生男性拉近距离的方式之一。

        “是的,我目前是燕京大学微电子专业的大二学生,之所以发这封邮件,是希望来就读你的博士。

        因为我经济状况不太好的缘故,还需要你提供全奖或者半奖。”

        这個年代全奖和半奖的区别,在于半奖能够拿到的钱更少,同时半奖需要工作,比如代课、批改作业之类的工作。

        全奖会被导师要求工作,只是可以选择拒绝。

        一般来说是不会拒绝的。

        “跨国电话对于我来说有点贵,所以我将我希望直截了当的表达我的诉求。”

        周新说完后,胡正明停顿片刻后问道:

        “我稍后会发一份卷子给你,伱有五个小时的时间进行作答。

        你在回答之后通过电子邮件的方式回复我。

        如果有八十分,我会帮你安排好一切的。

        这份卷子不会太难,只是伯克利分校电子工程系博士生入学考试的标准。

        虽然对普通大二学生来说,会有点难。

        但是你在邮件中表现出来对模型敏锐的直觉以及处理方式,都不是一个普通大二学生。

        甚至我带过的很多博士生在毕业的时候,在这方面的能力都不如你。”

        胡正明没有给周新设置太高的门槛,博士生入学考试的难度。

        当然这个难度对于华国的大二学生来说,换成除了周新,任何一个人来都做不出来。

        这不是水平的差距,而是全方位的差距。

        不管是教材、教师水平、学习的深度等等,大二和博士生入学考试之间隔着很厚的壁垒。

        更别说还要通过全英文作答。

        “如果我没能通过考试呢?”周新在电话里反问道。

        胡正明笑了笑:“只要你能够证明邮件是你本人写的。

        那么我也会帮你搞定转校和奖学金的事情。

        只是说你需要来伯克利把本科没有上完的课程补完。”

        作为半导体界教父级的人物,在伯克利呆了二十多年时间,想要帮学生搞定奖学金,用轻而易举来形容毫不夸张。

        胡正明很欣赏周新,不仅仅是因为那封邮件,也是因为对方在沟通中表现出来的坦诚,以及这口流利的英语。

        甚至在一些语气词里都和他一样。

        周新在阿美利肯期间,主要沟通对象之一就是胡正明,口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的。

        口语表达上二人当然会有相似之处。

        周新在电话那头笑了笑:“好。”

        “mosfet模型可以将    em与所有器件参数和偏置电压相关联,描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途,你是如何想到通过电路仿真的预测性来对mosfet进行互连建模?”

        跨越数千公里的电话线,两头不仅仅是地理上的距离,更是时间上的距离。

        周新发给胡正明的解答,是胡正明自己在2000年的论文,发表在2000年的ieee集成电路会议论文集上,在胡正明超过九百篇论文里被引用次数排名第八。

        虽然排名不是很高,但是却起到了承上启下的作用。

        胡正明最大的贡献是,将半导体的2d结构,研发优化出了3d结构,也就是finfet。

        从    1960年到    2010年左右,基本的平面(2d)    mosfet结构一直保持不变,直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。

        胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点。

        finfet作为第一个    3d    mosfet,将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构。好处是在更小的占地面积内获得更好的性能,就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样。

        finfet也就是所谓的薄体(thin-body)mosfet,这一概念继续指导新设备的开发。

        它源于这样一种认识,即电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏,因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制。

        finfet牢记这种薄体概念。该器件的主体是垂直的硅鳍片,被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖,在强栅极控制范围之外没有留下任何硅。finfet将漏电流降低了几个数量级,并降低了晶体管工作电压。它还指出了进一步改进的路径:进一步降低厚度。

        而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏,因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制,这一概念,正是mosfet进行互连建模在实验室进行复现后发现的。

        周新不可能告诉胡正明,这是你自己发现的。

        不过由于周新对于胡正明最重要的论文,都做过精读,对于当时是如何思考,有自己的分析。

        这些分析和二十年后的老胡交流过程中,也获得了对方的认可。